Общие характеристики
|
|
---|---|
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Объем | 1 модуль 8 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
|
|
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Дополнительно
|
|
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Количество ранков | 2 |
Перед покупкой уточняйте технические характеристики товара и его комплектацию. |